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文章阅读:Re: RF transceiver已经没有前途了
[版面: 电子工程] [作者:xiaozhong] , 2002年05月10日09:34:38
xiaozhong
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发信人: xiaozhong (小钟), 信区: EE
标  题: Re: RF transceiver已经没有前途了
发信站: The unknown SPACE (Fri May 10 09:50:21 2002), 转信


看的有点混乱,
不知道你的wireless transceiver的定义是什么?


【 在 avante (avante) 的大作中提到: 】
: 应用的系统无非是GSM(CDMA),
: 现在热的是5GHz wireless LAN
: GSM对transceiver来说无疑是最难的
: 因为channel bandwidth is only 200KHz
: 对VCO/frequency synthesizer的phase noise
: 要求很高,对mixer IP3的要求也类似
  ^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^
  所以才有研究的余地啊,
  如何提高VCO的性能,其中的passive component(L)是很关键的,
  有关如何获得high Q inductor就有很多人做

: 而COMS再厉害还是利害不过SiGe or BiCMOS
  ^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^
没有人规定一定要用CMOS来做transceiver啊
现在大家想用CMOS只不过是因为它便宜,
传统的GaAs或者HEMT价格偏高,
况且数字电路部分还是用CMOS

: 公司里有很多牛人,不比T.LEE等水平低
: 只是人家没来发表文章而已
  ^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^
 
大学里的条件是永远无法和公司里比的,
但是学术研究重要的是有新的idea,
科学难道不是这样在前进吗?

: 再看Wireless LAN
: 虽然频率高了
: 但是一是channel 少了
: channle bandwidth 宽了
: 二是Q of L is higher at higher frequency,
  ^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^
  这一点值得商榷,
  以cmos工艺来说,高频时的Q值将受衬底的coupling效应影响而变低,
  通常2GH以上的衬底效应就已经十分严重

: so 很多指标比GSM反而更容易达
  ^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^

  个人认为是对于较高频电路来说,所需要的L值较小,
  在相同面积条件下,小的L通常拥有较高的Q值
从而使电路易于实现


: 近10年来在GSM上发了那么多论文
: 已经属于过热,尤其是CMOS
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   现在比较热的应该是2.4GHz频率范围的吧,如bluetooth

: 就算可能CMOS在GPS,or pager,甚至wireless lan可能有作为
: 但是作为研究的价值几乎已经没有了
^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^

  不敢苟同

: 现在该是寻找新课题的时候了
: 当然bluetooth 2.4G a paper published
: in ISSCC2002 by David Su, but still
: a quesion: ten years of RF CMOS, but
: how many products?
^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^
  well ,学术研究与product还是有很大距离的,
没有产品很正常的啊,
从有MOS管的概念到做出个成功的MOS还走了十年那


: 欢迎讨论


--
※ 修改:.xiaozhong 于 May 10 09:51:12 修改本文.[FROM: 143.89.46.132]
※ 来源:.The unknown SPACE bbs.mit.edu.[FROM: 143.89.46.132]

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